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参数资料
型号： IXFK150N15
厂商： IXYS
文件页数： 2/2页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 150A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 12.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 9100pF @ 25V
功率 - 最大： 560W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFK 150N15
IXFX 150N15
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
PLUS247 TM (IXFX) Outline)
g fs
V DS = 10 V; I D = 60A
Note 2
50
75
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
2600
1200
50
60
110
pF
pF
ns
ns
ns
t f
45
ns
Dim.
Millimeter
Inches
A 1
A 2
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
360
65
190
nC
nC
nC
Min. Max.
A 4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
b 1.14 1.40
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
R thJC
0.22
K/W
b 1
b 2
1.91 2.13
2.92 3.12
.075 .084
.115 .123
R thCK
0.15
K/W
C 0.61 0.80
D 20.80 21.34
.024 .031
.819 .840
E 15.75 16.13
e 5.45 BSC
L 19.81 20.32
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
Source-Drain Diode
Characteristic Values
L1 3.81 4.32
.150 .170
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Q 5.59 6.20
R 4.32 4.83
.220 .244
.170 .190
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
150
600
A
A
TO-264 AA Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 100A, V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ m s, V R = 50 V
1.1
13
1.5
250
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK150N15P 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK150N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK15N100Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK160N30T 功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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