- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK150N15P (IXYS)MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK150N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM HiPerFET IXFH 150N15P
Power MOSFET IXFK 150N15P
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
V DSS = 150 V
I D25 = 150 A
R DS(on) ≤ 13 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
150
150
± 20
V
V
V
TO-247 (IXFH)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
150
V
A
G
D
S
(TAB)
I D(RMS)
External lead current limit
75
A
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
340
60
80
2.5
A
A
mJ
J
TO-264 (IXFK)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 175 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
10
714
V/ns
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Features
M d
Weight
Mounting torque
TO-3P
TO-264
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5 g
10 g
l
l
l
Fast Intrinsic Diode
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
150
V
l
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
3.0
5.0
± 100
25
1000
V
nA
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
13
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99328E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 |
| IXFK170N10 | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA |
| IXFK180N085 | MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA |
| IXFK180N10 | MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK150N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK15N100Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK160N30T | 功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK170N10 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。