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参数资料
| 型号： | IXFK220N17T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | * |
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.200
0.100
0.010
0.001
.sadgsfgsf
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:F_220N17T2(8V)1-18-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
| IXFK240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
| IXFK24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
| IXFK24N90Q | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 |
| IXFK250N10P | MOSFET N-CH TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK24N100_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFK24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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