- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK230N20T (IXYS)MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK230N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 378nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK230N20T
IXFX230N20T
240
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristis @ T J = 25oC
200
V GS = 15V
10V
7V
300
V GS = 15V
10V
250
160
120
6V
200
7V
80
150
100
6V
40
0
5V
50
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value vs.
Junction Temperature
200
V GS = 15V
10V
8V
2.8
V GS = 10V
7V
2.4
160
120
6V
2.0
I D = 230A
I D = 115A
1.6
80
40
0
5V
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.4
3.0
V GS = 10V
180
160
External Lead Current Limit
2.6
2.2
1.8
T J = 175oC
140
120
100
80
60
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
| IXFK24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
| IXFK24N90Q | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 |
| IXFK250N10P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFK26N100P | MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK24N100_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFK24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。