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参数资料
| 型号： | IXFK64N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 96 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFK 64N60P
IXFX 64N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600
64
96
200
V
A
m ?
ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
600
600
± 30
V
V
V
TO-264 (IXFK)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
64
V
A
G
D
S
(TAB)
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
150
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
64
80
3.5
20
A
mJ
J
V/ns
PLUS247 (IXFX)
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
1040
W
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
F C
Mounting force (PLUS247)
20..120/4.5..25
N/lb
Features
M d
Mounting torque (TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
l
International standard packages
Weight
TO-264
PLUS247
10
6
g
g
l
l
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
600
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
25
1000
V
nA
μ A
μ A
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
96
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99442E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 194P144 | CABLE SGL-END STR 4POS MALE 12' |
| XPEHEW-L1-R250-00DE7 | LED XLAMP XPE HIEFF WHITE SMD |
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| 196P72 | CABLE SGL-END STR 6POS MALE 6' |
| 166P72 | CABLE SGL-END STR PLUG 6POS 6' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK64N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK72N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK72N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 72A I(D) | TO-264SMD |
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