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参数资料
| 型号： | IXFK80N15Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFH 80N15Q IXFK 80N15Q
IXFT 80N15Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
35
50
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4500
1400
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
C rss
t d(on)
680
30
pF
ns
3 - Source
Tab - Drain
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
55
ns
t d(off)
R G = 2.0 W (External),
68
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
20
ns
A
4.7
5.3
.185
.209
A 1
2.2
2.54
.087
.102
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
180
39
85
0.35
nC
nC
nC
K/W
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
e
L
5.20
19.81
5.72
20.32
0.205
.780
0.225
.800
R thCK
TO-247
0.25
K/W
L1
4.50
.177
TO-264
0.15
K/W
? P
3.55
3.65
.140
.144
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
80
320
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.2
10
200
ns
m C
A
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min.
Max.
.190 .202
TO-268 Outline
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KR393AKXXA11/4 | SWITCH ROCKER SPDT 10A 24V |
| KR392AKXXA12XX | SWITCH ROCKER SPDT 10A 24V |
| B32562J1475J | FILM CAP 4.7UF 5% 100V |
| P2012EZ | SW TOGGLE SPDT FLATTED .187" QC |
| B32923C3225K | FILM CAP 2.2UF 10% 305V MKP X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK80N20 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD |
| IXFK80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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