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参数资料
| 型号： | IXFK80N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 197nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFK 80N50P
IXFX 80N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 80 A
≤ 65 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXFK)
V DSS
V DGR
V GSM
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Transient
Continuous
500
500
± 40
± 30
V
V
V
V
I D25
I L
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
80
75
200
80
80
3.5
20
A
A
A
A
mJ
J
V/ns
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting force (PLUS247)
1040
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
20..120/4.5..25
W
° C
° C
° C
° C
° C
N/lb
D
S
G = Gate
D = Drain
D (TAB)
S = Source
Tab = Collector
M d
Mounting torque (TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
TO-264
PLUS247
10
6
g
g
l
l
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 500 μ A
500
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
Advantages
I GSS
I DSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
± 200
25
2
nA
μ A
mA
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
65
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99437E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 245P5S4 | CABLE STR 5POS MALE-FEMALE 4M |
| IXFH20N80Q | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD |
| XREWHT-L1-0000-00BA4 | LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD |
| XREWHT-L1-0000-00BA3 | LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD |
| ISL29007IROZ-T7 | IC PHOTO DETECTOR AMBIENT 6-ODFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK88N20Q | 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK90N20 | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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