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参数资料
型号： IXFK90N20
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
产品目录绘图： TO-264(AA) Package
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 23 毫欧 @ 45A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 380nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 9000pF @ 25V
功率 - 最大： 500W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFK100N20
IXFN90N20
IXFN106N20
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
9000
1600
590
30
80
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 1 W (External),
75
30
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
Q g(on)
380
nC
A1
A2
2.54
2.00
2.89
2.10
.100 .114
.079 .083
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
70
190
nC
nC
b
b1
b2
c
1.12
2.39
2.90
0.53
1.42
2.69
3.09
0.83
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
D
25.91
26.16
1.020 1.030
R thJC
R thCK
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.15
0.05
0.25
0.24
K/W
K/W
K/W
K/W
E
e
J
K
L
L1
P
Q
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Q1
R
8.38
3.81
8.69
4.32
.330 .342
.150 .170
Source-Drain Diode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
R1
S
T
1.78
6.04
1.57
2.29
6.30
1.83
.070 .090
.238 .248
.062 .072
I S
V GS = 0 V
IXFK90N20
IXFN100N20
90
100
A
A
miniBLOC, SOT-227 B
IXFN106N20
IXFK90N20
106
A
I SM
Repetitive;
pulse width limited by T JM
IXFN100N20
IXFN106N20
360
424
A
A
V SD
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 50 A, -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
3
38
200
ns
m C
A
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
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参数描述
IXFK90N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264
IXFK90N20Q 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFK90N30 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK94N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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