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参数资料
| 型号： | IXFL60N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS264 TM
(Electrically Isolated Backside)
Single Die MOSFET
IXFL 60N60
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600 V
= 60 A
= 80 m ?
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS-264 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(Backside)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C, Chip capability
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
60
240
60
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
F C
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
Mouting Force
64
4
5
700
30...150/7...33
-55 ... +150
150
-55 ... +150
mJ
J
V/ns
W
N/lb
° C
° C
° C
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
V~
V~
rated
Fast intrinsic Rectifier
M d
Weight
Symbol
Mounting torque
Terminal connection torque
Test Conditions
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
8 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
600
V
AC motor control
V GH(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0
± 200
100
2
80
V
nA
μ A
mA
m ?
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99093(10/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL60N80P | MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 |
| IXFL70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 |
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
| IXFM24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-204AE |
| IXFN100N10S3 | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL60N80P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL9N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254 |
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