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参数资料
| 型号： | IXFN32N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 325nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFK 32N60
IXFK 36N60
IXFN 32N60
IXFN 36N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-264 AA Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
36
9000
840
280
30
45
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 1 ? (External),
100
60
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
A1
2.54 2.89
.100 .114
Q g(on)
325
nC
A2
b
2.00 2.10
1.12 1.42
.079 .083
.044 .056
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
TO-264 AA
TO-264 AA
60
120
0.15
0.25
nC
nC
K/W
K/W
b1
b2
c
D
E
e
J
K
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
L
20.32 20.83
.800 .820
R thJC
R thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
0.24
K/W
K/W
L1
P
Q
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Q1
R
R1
S
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
T
1.57 1.83 .062 .072
miniBLOC, SOT-227 B
I S
I S
I SM
V SD
V GS = 0
V GS = 0
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
36N60
32N60
36N60
32N60
36
32
144
128
1.5
A
A
A
A
V
t rr
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
20
250
ns
A
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106
4,850,072 4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| CR4120-75 | SENSOR CURRENT 75A 24V BI MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N06 | 功能描述:MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07 | 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN34N100 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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