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参数资料
| 型号： | IXFN340N06 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 600nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
IXFN 340N06
V DSS = 60 V
I D25 = 340 A
R DS(on) = 3 m W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
G
S
D
S
t rr ￡ 250 ns
Symbol
V DSS
V DGR
V GS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Maximum Ratings
60 V
60 V
± 20 V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
S
G
V GSM
Transient
± 30
V
I D25
I L(RMS)
I DM
T C = 25 ° C, Chip capability
Terminal current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
340
100
1360
A
A
A
D
S
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ￡ 1 mA t=1s
200
64
4
5
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
A
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
G = Gate D = Drain
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard packages
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 100A
Pulse test, t ￡ 300 m s,
duty cycle d ￡ 2 %
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
60
2.0
4.0
± 200
100
2
3
V
V
nA
m A
mA
m W
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2000 IXYS All rights reserved
98751 (10/00)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN340N07 | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
| IXFN34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B |
| IXFN360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
| IXFN360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN340N07 | 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN34N100 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN34N80 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN35N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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