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参数资料
| 型号： | IXFN340N07 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 490nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 340N07
Fig. 13. Forward-Bias Safe
Operating Area
10,000
T C = 25oC
T J = 150oC
1,000
100
R DS (on) Limit
100μs
1ms
10ms
DC
10
1
10
100
V D S - Volts
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN34N100 | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B |
| IXFN34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B |
| IXFN360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
| IXFN360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
| IXFN36N100 | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN340N07_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN34N100 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN34N80 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN35N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN360N10T | 功能描述:MOSFET 360 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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