- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN420N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN420N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GigaMOS™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 420A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 670nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 47000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1070W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN420N10T
340
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
320
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
300
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
280
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
240
260
220
180
140
I
I
D
D
= 200A
= 100A
200
160
120
80
40
T J = 125oC
T J = 25oC
100
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
700
240
700
220
600
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
200
600
500
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
200
180
500
I D = 200A
160
400
160
400
120
I D = 200A
300
I D = 100A
140
300
200
I D = 100A
80
40
200
100
120
100
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
80
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
500
260
800
800
400
300
200
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 125oC
T J = 25oC
220
180
140
700
600
500
400
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 200A
I D = 100A
700
600
500
400
300
300
100
100
200
200
0
60
100
100
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
| IXFN44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 |
| IXFN44N50Q | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| IXFN44N50U3 | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| IXFN44N60 | MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN43N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N50 | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。