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参数资料
| 型号： | IXFN44N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFK / IXFN 44 N50
IXFK / IXFN 48 N50
500 V 44 A 0.12 ?
500 V 48 A 0.10 ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
IXFK IXFN
TO-264 AA
(IXFK)
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
500
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
± 20
± 30
500
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
44N50
48N50
44
48
44
48
A
A
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
44N50
48N50
176
192
24
30
176
192
24
30
A
A
A
mJ
G
E153432
D
G
S
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
5
V/ns
S
S
D
S
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
500 520
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
International standard packages
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
-
° C
Features
l
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
-
-
2500
3000
V~
V~
l
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
0.9/6
-
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
l
l
SOT-227B miniBLOC with aluminium
nitride isolation
Low R DS (on) HDMOS TM process
Weight
10
30
g
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic rectifier
DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
l
Applications
l
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
500
2
4
± 200
400
2
V
V
nA
μ A
mA
l
l
l
l
l
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Easy to mount
Space savings
R DS(on)
44N50
48N50
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.12
0.10
?
?
Advantages
l
l
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
C1 - 184
l
High power density
93001I (07/00)
? 2000 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 |
| PTFL04BF222Q2N34B0 | THERMISTOR |
| PTFL04BE471Q2N34B0 | THERMISTOR |
| PTFL04BE222Q2N34B0 | THERMISTOR |
| PTFL04BD471Q2N34B0 | THERMISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFN44N50U2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:HiPerFET™ 标准包装:10 系列:* |
| IXFN44N50U3 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:HiPerFET™ 标准包装:10 系列:* |
| IXFN44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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