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参数资料
| 型号： | IXFN44N50U2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
Power MOSFETs
IXFN44N50U2 IXFN44N50U3 500 V
IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V
44 A
48 A
0.12 W 35 ns
0.10 W 35 ns
Buck & Boost Configurations for
PFC & Motor Control Circuits
Preliminary data
2
3
1
4
2
3
1
4
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
500
500
± 20
± 30
V
V
V
V
2
1
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C,
44N50
48N50
44N50
44
48
176
A
A
A
3
4
I AR
pulse width limited by max. T JM
T C = 25 ° C
48N50
192
24
A
A
Features
· Popular Buck & Boost circuit
topologies
E AR
dv/dt
P D
V RRM
I FAVM
I FRM
P D
Repetitive
I S ￡ I DM , -di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
T C = 70 ° C; rectangular, d = 0.5
tp <10 m s; pulse width limited by T J
T C = 25 ° C
30
5
520
600
60
800
180
mJ
V/ns
W
V
A
A
W
· International standard package
miniBLOC SOT-227B
· Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
· Isolation voltage 3000 V~
· Low R DS (on) HDMOS TM process
· Rugged polysilicon gate cell structure
· Low drain-to-case capacitance
(<60 pF)
- reduced RFI
· Ultra-fast FRED diode with soft
reverse recovery
Applications
T J
T JM
T stg
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
-40 ... +150
150
-40 ... +150
2500
3000
° C
° C
° C
V~
V~
· Power factor controls and buck
regulators
· DC servo and robotic drives
· DC choppers
· Switch reluctance motor controls
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
Advantages
· Easy to mount with 2 screws
· Space savings
· Tightly coupled FRED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
96535B (7/00)
1-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABS1113519 | SWITCH SNAP SPDT HINGE GOLD QC |
| HAIS 150-P | SENSOR CURRENT 150A 5V MOD |
| ABS1112519 | SWITCH SNAP SPDT HINGE GOLD QC |
| HY 5-P | SENSOR CURRENT 5A -+15V 6PIN |
| ABJ241661 | SWITCH TURQ SPDT .1A ROLLER SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN44N50U3 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:HiPerFET™ 标准包装:10 系列:* |
| IXFN44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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