参数资料
型号: IXFN48N50U3
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
标准包装: 10
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 25V
功率 - 最大: 520W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
Fig. 11. Forward voltage drop.
Fig. 14. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 12. Recovery charge versus -di F /dt.
Fig. 15. Recovery time versus -di F /dt.
Fig. 13. Peak reverse current vs. -di F /dt.
Fig. 16. Peak forward voltage and forward
recovery time vs. di F /dt.
Fig. 17. Transient thermal impedance junction to case.
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述
IXFN48N50U2 MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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参数描述
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IXFN48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN50N25 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN50N80Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube