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参数资料
| 型号： | IXFP12N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiperFET TM
IXFA12N50P
IXFP12N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500V
= 12A
≤ 500m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
500
500
V
V
TO-263 (I XFA )
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12
30
12
600
A
A
A
mJ
TO-220 (I XFP )
dV/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
20
200
V/ns
W
G
D S
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
1.6mm (0.062) from case for 10s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T SOLD
Plastic body for 10s
260
° C
Features
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
(TO-220)
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
500
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.0
5.5
V
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
5
250
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
500 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99436F(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CE3291-49.152 | OSC 49.152 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| GLEB24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| GLAC06A1B | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLEB24C-6 | SWITCH ROLLER PLUNGER SNAP DPDT |
| ISRF-0249-D101 | ISRF PULSE TRANSFORMER SMD 0.1A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP12N50PM | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP14N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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