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参数资料
| 型号： | IXFR26N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
I D25
HiPerFET TM Power MOSFETs IXFR 26N60Q
ISOPLUS247 TM Q-CLASS
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalance Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
V DSS = 600 V
= 23 A
R DS(on) = 250 m W
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
23
92
26
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
45
1.5
5
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
250
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
* Patent pending
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? IXYS advanced low Q g process
? Low gate charge and capacitances
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
- easier to drive
- faster switching
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
600
2.5
V
4.5 V
± 100 nA
25 m A
1 mA
250 m W
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC & DC motor control
Advantages
? Easy assembly
? Space savings
Notes 2, 3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
? High power density
98727 (06/09/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR30N110P | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 |
| IXFR30N60P | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR32N100P | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR32N50Q | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 |
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.4000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR30N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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