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参数资料
| 型号： | IXFR30N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 30N60P
IXFR 30N60P
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
40
Fig. 8. Trans conductance
25
20
15
35
30
25
20
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
90
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
9
8
7
V DS = 300V
I D = 15A
I G = 10m A
6
50
5
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1. 00
Fig . 12. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al
Re s is tan ce
f = 1MH z
C iss
1000
0. 10
C oss
100
C rs s
10
0. 01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0. 1
1
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Puls e Width - millis ec onds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR32N100P | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR32N50Q | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 |
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 |
| IXFR34N80 | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
| IXFR36N60P | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N50Q_04 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR32N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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