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参数资料
| 型号： | IXFR44N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM , Q-Class
(Electrically Isolated Backside)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
IXFR 44N50Q
IXFR 48N50Q
V DSS I D25 R DS(on)
500 V 34 A 120 m ?
500 V 40 A 110 m ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
Isolated backside*
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
44N50Q
48N50Q
44N50Q
48N50Q
34
40
176
192
A
A
A
A
I AR
T C = 25 ° C
44N50Q
48N50Q
44
48
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
60
2.5
15
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
* Patent pending
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
IXYS advanced low Q g process
Rugged polysilicon gate cell structure
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Fast intrinsic diode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 m A
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
T J = 125 ° C
44N50Q
48N50Q
500
2.0
V
4.0 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
120 m ?
110 m ?
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98702D(08/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCM49-6.000MABJT | CRYSTAL 6.000 MHZ 18PF SMD |
| 5145.0470.831 | MOD INLET/MED FILTER 15A PNL |
| 35834 | REPLACEMENT HOSE BLOW VAC |
| B32653A1632J | FILM CAP 6.3NF 5% 1600V MKP |
| HCM49-5.0688MABJT | CRYSTAL 5.0688 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR44N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class |
| IXFR44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR44N60 | 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR44N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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