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参数资料
| 型号： | IXFR58N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs IXFR 58N20Q
V DSS
=
200 V
I D25
ISOPLUS247 TM Q-Class
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
Preliminary Data Sheet
=
R DS(on) =
t rr ≤ 200 ns
50 A
40 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
E153432
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
50
232
58
30
1.0
V
V
A
A
A
mJ
J
G
G = Gate
S = Source
D
Isolated back surface*
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
Weight
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
250
2500
5
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
g
* Patent pending
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<50pF)
IXYS advanced low Q g process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic diode
Applications
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
200 V
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 29A
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0 V
± 100 nA
25 μ A
1 mA
40 m ?
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98591B(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR64N50P | MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 |
| IXFR64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| IXFR64N60P | MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247 |
| IXFR64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 |
| IXFR66N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR64N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id36 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR64N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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