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参数资料
| 型号： | IXFR64N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 64N50P
90
80
70
60
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
50
Fig. 8. Trans conductance
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
40
30
20
10
0
T J = -40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
200
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
175
150
125
100
75
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 32A
I G = 10m A
50
25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
0
20
40
60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
100000
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C is s
1.000
0.100
Fig . 1 2 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l
Re s is t a n c e
1000
C os s
0.010
100
C rss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pu ls e W id th - S e c o n d s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| IXFR64N60P | MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247 |
| IXFR64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 |
| IXFR66N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| IXFR70N15 | MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR64N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id36 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR64N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR70N15 | 功能描述:MOSFET 67 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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