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参数资料
| 型号： | IXFT13N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q Class
IXFH 13N80Q
IXFT 13N80Q
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
=
800 V
13 A
0.70 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated High dv/dt, Low Q g
Preliminary data sheet
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
13
A
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
52
13
28
750
5
A
A
mJ
mJ
V/ns
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
P D
T C = 25 ° C
250
W
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
Features
TO-268
4
g
?
IXYS advanced low Q g process
?
?
International standard packages
Low R DS (on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 m A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
800 V
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast switching
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
2.5
4.5
± 100
50
1
0.70
V
nA
m A
mA
W
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98626 (6/99)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| IXFT14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
| IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| IXFT15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT13N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT140N10P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT150N17T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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