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参数资料
| 型号： | IXFT14N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
20
IXFH14N100
IXFH15N100
16
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
16
T J = 25 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
5V
12
T J = 125 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
5V
12
8
8
4V
4
4V
4
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
2.0
V DS - Volts
Fig.1 Output Characteristics
2.2
V DS - Volts
Fig.2 Output characteristics at elevated
temperature
1.8
V GS = 10V
T J = 125 O C
2.0
V GS = 10V
1.6
1.8
1.4
1.6
I D = 15A
1.2
1.0
T J = 25 O C
1.4
1.2
I D = 7.5A
0.8
0
3
6
9
12
15
1.0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
T J - Degrees C
Fig.3 R DS(on) vs. Drain Current
20
14
Fig.4
Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
16
12
IXF_15N100
IXF_14N100
12
10
8
8
4
6
4
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T C - Degrees C
V GS - Volts
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
? 2000 IXYS All rights reserved
Fig.6
Input admittance
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| IXFT15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N100Q | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N80Q | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT150N17T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| IXFT150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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