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参数资料
| 型号： | IXFT16N90Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 650 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary Data
IXFH 16N90Q
IXFK 16N90Q
IXFT 16N90Q
V DSS = 900 V
I D25 = 16 A
R DS(on) = 0.65 ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
900
900
± 20
± 30
16
64
16
V
V
V
V
A
A
A
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
45
1.5
5
360
mJ
J
V/ns
W
G
TO-264 AA (IXFK)
S
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-264
TO-247
1.13/10 Nm/lb.in.
0.9/6 Nm/lb.in.
6
g
G = Gate
S = Source
TAB = Drain
TO-268
TO-264
4
10
g
g
Features
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IXYS advanced low Q g process
International standard packages
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
900
3.0
5.0
± 200
50
2
0.65
V
V
nA
μ A
mA
?
Low R DS (on) low Q g
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic rectifier
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
DS98668A(12/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32653A6684K | FILM CAP 0.68UF 10% 630V |
| 5644THAB | SWITCH TOGGLE MINI |
| FXO-PC736-662 | OSC 662 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32522C1335K | FILM CAP 3.3000UF 10% 100V |
| FXO-PC736-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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