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参数资料
| 型号： | IXFT26N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 12.5A
I G = 10mA
100
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
1ms
5
4
10ms
3
2
1
0
1
0.1
100ms
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
10
100
500
Gate Charge - nCoulombs
V DS - Volts
Fig.9
4500
4000
3500
3000
2500
Capacitance Curves
f = 1 Mhz
V DS = 25V
C iss
Fig.10 Source Current vs. Source to Drain Voltage
50
45
40
35
30
25
2000
1500
1000
500
C oss
C rss
20
15
10
5
T J = 125°C
T J = 25°C
0
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
1
D=0.5
V SD - Volt
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32654A4105K | FILM CAP 1UF 10% 400V MKP |
| FVXO-PC73B-644.53 | OSC 644.53 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 5707.0401.112 | MOD PWR ENTRY 4A 1POLE IP65 FRNT |
| IXFT26N50Q | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| B32654A1683K | FILM CAP 68NF 10% 1600V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT26N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N60Q | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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