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参数资料
| 型号： | IXFT26N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
60
50
T J = 25 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
50
40
T J = 125 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
40
6V
30
6V
30
20
20
5V
10
5V
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
2.8
V DS - Volts
Fig.1 Output Characteristics @ T j = 25°C
V GS = 10V
V DS - Volts
Fig.2 Output Characteristics @ T j = 125°C
2.4
V GS = 10V
2.4
2.0
T J = 125oC
2.0
I D = 26A
1.6
1.6
1.2
T J = 25oC
1.2
I D = 13A
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0.8
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Fig.3 R DS(on) vs. Drain Current
T J - Degrees C
Fig.4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
30
25
IXF_26N50 Q
IXF_24N50Q
50
40
20
30
15
10
5
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0
2
4
6
8
T C - Degrees C
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
? 2003 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Fig.6 Drain Current vs Gate Source Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32654A1683K | FILM CAP 68NF 10% 1600V MKP |
| FVXO-PC73B-644.5313 | OSC 644.5313 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32654A4335J000 | CAP FILM 3.3UF 400VDC RADIAL |
| B32564J6155K | FILM CAP 1.5UF 10% 400V |
| FVXO-PC73B-655.36 | OSC 655.36 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT26N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N60Q | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT28N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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