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参数资料
| 型号： | IXFT30N40Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 30A TO-268 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 散装 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 30N40Q
IXFT 30N40Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 400 V
= 30 A
= 0.16 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
400
400
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
30
120
30
30
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
E AS
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
1.5
5
mJ
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
-55 to +150
150
-55 to +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
Symbol
V DSS
V GS(th)
I GSS
TO-247
TO-268
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
6 g
4 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
400 V
2.0 4.0 V
± 100
nA
l
l
l
l
l
l
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Easy to mount
Space savings
High power density
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
25
1
0.16
m A
mA
W
Advantages
l
l
l
? 2000 IXYS All rights reserved
98754 (10/00)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2022S2A2W03 | SW TOGGLE DPDT SMOOTH SLV.250"PC |
| DC12.5202.001 | MOD PWR 10A MED FILTR 2PL QC PNL |
| FXO-HC736R-122.88 | OSC 122.88 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| AB-18.432MHZ-B2 | CRYSTAL 18.432MHZ 18PF HC49/U |
| FXO-HC536R-114.775489 | OSC 114.775489MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N50 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50P | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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