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参数资料
| 型号： | IXFT30N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT30N50Q3
IXFH30N50Q3
30
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
25
20
15
V GS = 10V
9V
8V
70
60
50
40
30
V GS = 10V
9V
10
7V
20
8V
5
10
7V
0
6V
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
V DS - Volts
30
25
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
8V
3.4
3.0
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
2.6
20
7V
2.2
I D = 30A
15
10
6V
1.8
1.4
1.0
I D = 15A
5
0.6
5V
0
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value vs.
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
3.4
3.0
2.6
V GS = 10V
Drain Current
35
30
25
Case Temperature
T J = 125oC
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10-1 | XFRMR PWR 115V 10VCT 1A |
| 241-8-16 | XFRMR PWR 115V 16VCT 6.25A |
| IXFK170N20T | MOSFET N-CH 170A 200V TO-264 |
| IXFK120N30T | MOSFET N-CH 120A 300V TO-264 |
| 241-8-56 | XFRMR PWR 115V 56VCT 1.8A 100VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT320N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT32N50 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT32N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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