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参数资料
| 型号： | IXFT36N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH36N50P IXFV36N50P
IXFT36N50P IXFV36N50PS
36
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
80
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
30
V GS = 10V
7V
70
V GS = 10V
7V
60
24
18
6V
50
40
30
6.5V
12
6
5V
20
6V
5.5V
0
4V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
36
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value vs.
Junction Temperature
30
V GS = 10V
7V
6V
3.0
V GS = 10V
24
2.6
2.2
I D = 36A
18
5.5V
1.8
I D = 18A
12
5V
1.4
1.0
6
0
4.5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value vs.
Drain Current
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
35
30
25
2.2
20
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB491L11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOT OPTICAL |
| 352S2S4 | CABLE STR FMALE-R/A FMAL 2POS 4M |
| XPERDO-L1-R250-00402 | LED RED-ORNG 700MA 3.45X3.45 SMD |
| OPB490T11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOT OPTICAL |
| OPB490P11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT400N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT42N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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