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参数资料
| 型号： | IXFT9N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 散装 |
IXFH
IXFT
9N80Q
9N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
3
5
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
2200
240
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
C rss
t d(on)
41
20
pF
ns
3 - Source
Tab - Drain
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
20
ns
t d(off)
t f
R G = 4.7 ? (External),
42
13
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.7 5.3
Inches
Min. Max.
.185 .209
Q g(on)
56
nC
A 1
A 2
2.2
2.2
2.54
2.6
.087
.059
.102
.098
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
17
22
nC
nC
b
b 1
b 2
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
C
.4
.8
.016
.031
R thJC
0.7
K/W
D
E
20.80
15.75
21.46
16.26
.819
.610
.845
.640
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
e
L
5.20
19.81
5.72
20.32
0.205
.780
0.225
.800
L1
4.50
.177
? P
3.55
3.65
.140
.144
Source-Drain Diode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
9
36
1.5
A
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.75
7.5
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFV10N100P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFV10N100PS | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFV110N10P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV110N10PS | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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