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参数资料
| 型号： | IXFV12N120PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.35 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 103nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 543W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH12N120P
IXFV12N120P
IXFV12N120PS
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1200V
12A
1.35 Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
PLUS220 (IXFV)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
D
S
D (TAB)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1200
1200
± 30
V
V
V
PLUS220SMD (IXFV_S)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
12
V
A
G
S
D (TAB)
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
30
6
500
15
543
A
A
mJ
V/ns
W
TO-247 (IXFH)
D (TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
Mounting torque (TO-247)
Mounting force (PLUS 220)
TO-247
PLUS 220 types
300
260
1.13/10
11..65 / 2.5..14.6
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1200
V
Applications:
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
I GSS
I DSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 100 nA
25 μ A
2 mA
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
1.15
1.35
Ω
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99894A (04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| IXFV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXFV26N50PS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD |
| IXFV30N50PS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD |
| IXFV36N50PS | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV12N80P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV12N80PS | 功能描述:MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV12N90PS | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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