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参数资料
| 型号： | IXFV14N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
14
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
27
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
12
7V
24
7V
21
10
8
6
6V
18
15
12
6V
9
4
5V
6
2
0
3
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
14
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.1
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value vs.
Junction Temperature
12
V GS = 10V
6V
2.8
2.5
V GS = 10V
10
2.2
8
6
5V
1.9
1.6
I D = 14A
I D = 7A
1.3
4
1
2
0
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value vs.
Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
14
12
2.2
2
1.8
1.6
10
8
6
1.4
4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B223J50ZQ22P | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| B32523Q3105J | FILM CAP 1.0UF 5% 250V |
| CFS206-32.768KDZBB | CRYSTAL 32.768 KHZ 6PF CYL |
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| B32022B3473K | FILM CAP 47NF 10% 300VAC MKP Y2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV14N80PS | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV15N100PS | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV16N80PS | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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