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参数资料
| 型号： | IXFV22N50PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 22N50P IXFV 22N50P
IXFV 22N50PS
22
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
55
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
20
18
16
14
12
10
8
6
4
V GS = 10V
8V
7V
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
V GS = 10V
8V
7V
6V
2
0
5V
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 22A
I D = 11A
0
2
4
6 8 10
V D S - Volts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.1
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
24
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
20
2.5
2.2
1.9
1.6
16
12
8
1.3
1
0.7
T J = 25 o C
4
0
0
5
10
15
20 25 30 35
I D - Amperes
40
45
50
55
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV26N50PS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD |
| IXFV30N50PS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD |
| IXFV36N50PS | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD |
| IXFV74N20PS | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S |
| IXFV96N15PS | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV22N60P | 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV22N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N50P | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N50PS | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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