- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18119 > IXFV96N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFV96N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 96N20P IXFT 96N20P
IXFV 96N20P
160
Fig. 7. Input Adm ittance
80
Fig. 8. Trans conductance
140
120
100
80
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10m A
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
15
30
45
Q
G
60 75 90 105 120 135 150
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope rating Ar e a
1000
f = 1MH z
C is s
100
R DS(on) Lim it
T J = 175oC
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
C oss
10
DC
10m s
C rss
100
1
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5236WWA2X445 | SWITCH TOGGLE MINI |
| 5246WCDB16X404 | SWITCH TOGGLE MINI |
| 5664MTH1RAB | SWITCH TOGGLE MINI |
| 5668AKB | SWITCH TOGGLE MINI |
| PE163010 | POWER ENTRY FILTERED 10A SCREW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。