参数资料
型号: IXFV96N20P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220
标准包装: 50
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 96A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4800pF @ 25V
功率 - 最大: 600W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装: PLUS220
包装: 管件
IXFH 96N20P IXFT 96N20P
IXFV 96N20P
160
Fig. 7. Input Adm ittance
80
Fig. 8. Trans conductance
140
120
100
80
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10m A
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
15
30
45
Q
G
60 75 90 105 120 135 150
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope rating Ar e a
1000
f = 1MH z
C is s
100
R DS(on) Lim it
T J = 175oC
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
C oss
10
DC
10m s
C rss
100
1
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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IXFX120N20 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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