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参数资料
| 型号： | IXFX120N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 400nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFX 120N25
IXFK 120N25
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 120 A
= 22 m ?
Single MOSFET Die
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
250
250
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
(TAB)
I D25
I D104
I DM
I AR
T C
T C
T C
T C
= 25 ° C (MOSFET chip capability)
= 104 ° C (External lead capability)
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
= 25 ° C
120
75
480
90
A
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
64
3
5
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
560
W
T J
-55 ... +150
° C
Features
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
l
l
l
l
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
TO-264
0.7/6 Nm/lb.in.
rated
Weight
PLUS 247
TO-264
6
10
g
g
l
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
l
DC-DC converters
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
250 V
l
l
l
l
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
2.0
4.0 V
l
Temperature and lighting controls
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0
± 200 n A
PLUS 247 TM package for clip or spring
Space savings
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
22 m ?
Advantages
l
mounting
l
l
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98912 (2/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32678G4206K | CAP FILM 20UF 450VDC RADIAL |
| 5145.1184.631 | MOD INLET/MED FILTER 8A PNL |
| S32 | SWITCH TOGGLE 3PDT 25A SLDR 5PCS |
| NTMD6P02R2SG | MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC |
| AML26FBC2AA02RX | SWITCH ROCKER SPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N30T | 功能描述:MOSFET 120V 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX140N25T | 功能描述:MOSFET 140A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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