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参数资料
| 型号： | IXFX15N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFH14N100
IXFH15N100
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
6
10
4500
430
150
27
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 W (External),
30
120
ns
ns
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
30
ns
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
220
30
85
nC
nC
nC
C
D
E
F
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
R thJC
R thCK
(TO-247 Case Style)
0.25
0.35
K/W
K/W
G
H
J
1.65 2.13
- 4.5
1.0 1.4
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
K
10.8 11.0
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
Source-Drain Diode
Characteristic Values
N
1.5 2.49
0.087 0.102
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
PLUS247 TM (IXFX) Outline
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
14N100
15N100
14N100
15N100
14
15
56
60
A
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J
T J
T J
T J
T J
T J
= 25 ° C
= 125 ° C
= 25 ° C
= 125 ° C
= 25 ° C
= 125 ° C
1
2
10
15
200
350
ns
ns
m C
m C
A
A
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 1
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
b 2
C
D
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
.115 .123
.024 .031
.819 .840
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
E
e
L
L1
Q
R
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82802A0055A325 | TRANSFORMER FLYBACK 36-60V SMD |
| MAX2510EEI+T | IC TXRX IF W/RSSI&MODLTR 28-QSOP |
| MAX2831ETM+ | IC TXRX 2.4GHZ-2.5GHZ 48TQFN |
| MAX2830ETM+T | IC TXRX RF W/PA AND SW 48-TQFN |
| FI212L062002-T | FILTER DTV ISDB-T LOW PASS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX160N30T | 功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX16N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFX170N20P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX170N20T | 功能描述:MOSFET 170A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX180N07 | 功能描述:MOSFET 70V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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