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参数资料
| 型号： | IXFX20N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFK 20N120
IXFX 20N120
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1200 V
= 20 A
= 0.75 ?
t rr ≤ 300 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM
(IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1200
1200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
20
80
10
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
40
2
5
mJ
J
V/ns
G = Gate
G
D
S
D = Drain
D (TAB)
P D
T C = 25 ° C
780
W
S = Source
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque TO-264
PLUS 247
TO-264
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
0.9/6
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
6 g
10 g
Features
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
DC-DC converters
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1200 V
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.5
4.5 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
0.75 ?
Temperature and lighting controls
Advantages
PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99112(11/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1055826-1 | TORQUE WRENCH PRODUCTION 5/32" |
| CG26.5101.151 | MOD PWR 2A STD FILTER QC PNL MNT |
| CG66.5101.151 | MOD PWR 10A STD FILTER QC PNL MT |
| FXO-LC728-148.5 | OSC 148.5 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| B32686S474J563 | FILM CAP 0.4700UF 5% 1000V MFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX220N15P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiperFET |
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