- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18733 > IXFX24N100Q3 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX24N100Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK24N100Q3
IXFX24N100Q3
24
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
24
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
3.0
V GS = 10V
20
2.6
16
12
7V
2.2
1.8
I D = 24A
I D = 12A
1.4
8
6V
1.0
4
0.6
5V
0
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value vs.
Drain Current
28
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
T J = 125oC
24
20
16
12
1.4
T J = 25oC
8
1.2
4
1.0
0.8
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPC8172TB-E3-A | IC FREQ UP-CNVRTR 6-SMINI |
| DZ-10GW22-1B | SWITCH BASIC DPDT 10A 400GF |
| MTSMC-C-N3.R2 | MODEM SOCKET CDMA 800/1900MHZ 5V |
| 310C | METER TEMP DIG POCKET W/REVERSE |
| MTSMC-E-V.R3 | MODEM SKT QUAD-BAND GSM 5V VOICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX24N120Q2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFX24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX250N10P | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX260N17T | 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。