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参数资料
| 型号： | IXFX27N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-CLASS
IXFK 27N80Q
IXFX 27N80Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800 V
= 27 A
= 320 m ?
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg,
High dV/dt, Low t rr
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
(TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
27
108
27
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
60
2.5
5
500
mJ
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
Features
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
PLUS 247
TO-264
0.4/6 Nm/lb.in.
6 g
10
g
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 1
T J = 125 ° C
800
2.0
V
4.5 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
320 m ?
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Advantages
PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
DS98722A (12/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS-WMSP1-R1/2-M6GE | SWITCH ROCKER SPDT 3A 125V |
| B32520C155K | FILM CAP 1.5000UF 10% 63V |
| FVXO-LC53BR-1000 | OSC 1000 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 7M-40.000MAAJ-T | CRYSTAL 40.000 MHZ 18PF SMD |
| UPA2757GR-E1-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX30N100Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX320N17T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFX32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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