- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18648 > IXFX34N80 (IXYS)MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX34N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single MOSFET Die
IXFK 34N80
IXFX 34N80
V DSS
I D25
R DS(on)
= 800 V
= 34 A
= 0.24 W
Avalanche Rated
Preliminary data sheet
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
(TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
34
136
36
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
64
3
5
mJ
J
V/ns
G = Gate
G
D
S
D = Drain
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
560
W
S = Source
TAB = Drain
T J
-55 ... +150
° C
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
Features
? International standard packages
M d
Mounting torque
TO-264
0.9/6 Nm/lb.in.
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
Weight
PLUS 247
TO-264
6
10
g
g
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
800
3.0
V
5.0 V
± 200 nA
100 m A
2 mA
0.24 W
? DC choppers
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
Advantages
? PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98560B (6/99)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL29009IROZ-T7 | IC PHOTO DETECTOR AMBIENT 6-ODFN |
| XMLEZW-02-0000-0B0UT330F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
| XMLEZW-02-0000-0B0UT227F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
| XMLEZW-02-0000-0B0PT430F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
| XMLEZW-02-0000-0B0PT327F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX360N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFX38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX40N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。