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参数资料
| 型号： | IXFX40N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH PLUS247 |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFK40N90P
IXFX40N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
<
<
900V
40A
230m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
900
900
± 30
± 40
40
80
20
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
2.5
15
J
V/ns
G
D
S
Tab
P D
T J
T C = 25 ° C
960
-55 to +150
W
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T JM
150
° C
T stg
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
-55 to +150
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
900
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
± 200 nA
50 μ A
3.5 mA
230 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100061A(10/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XMLEZW-00-0000-0D0HT535F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| MICA-KIT6F | KIT MICA 2.0PF - 1500PF |
| XMLEZW-00-0000-0D0HT530F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| FQD20N06TM | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK |
| 562P2P72 | CABLE STR MALE-MALE 2POS 6' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N60 | 功能描述:MOSFET 600V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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