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参数资料
| 型号： | IXFX44N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK/IXFX 48N50Q
IXFK/IXFX 44N50Q
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
120
90
V GS = 10V
8V
7V
30
24
18
60
6V
12
6
0
5V
30
0
5V
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
8
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
30
24
18
12
5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 48A
I D = 24A
6
0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
54
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
48
42
36
30
24
18
12
6
0
0
12
24
36
48
60
72
84
96
108 120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TL46P005000 | SWITCH TOGGLE SUB-MINI SEALED |
| FXO-PC736-198 | OSC 198 MHZ 3.3V PECL SMD |
| TL49P000200 | SWITCH TOGGLE SUB-MINI SEALED |
| FXO-PC735-400 | OSC 400 MHZ 3.3V PECL SMD |
| SI4505DY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N60 | 功能描述:MOSFET 600V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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