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参数资料
| 型号： | IXFX48N60Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFETs
Q3-Class
IXFK48N60Q3
IXFX48N60Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600V
48A
140m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
600
600
± 30
± 40
48
120
48
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
2
50
J
V/ns
G
D
S
Tab
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
300
260
1.13/10
° C
° C
Nm/lb.in.
Low Intrinsic Gate Resistance
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
F C
Weight
Mounting Force
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
20..120 /4.5..27
10
6
N/lb.
g
g
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
600
V
DC-DC Converters
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5 V
± 200 nA
25 μ A
1 mA
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
140 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100348(06/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B25832F4255K1 | MKV CAPACITOR 2.5UF 640V |
| RHS2K5E | RHEOSTAT 2.5K OHM 25W |
| B25832F6155K1 | MKV CAPACITOR 1.5UF 930V |
| FXO-LC538-1093 | OSC 1093 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B25834F6225K1 | MKV CAPACITOR 2.2UF 900V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX520N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX52N60Q2 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX55N50 | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX55N50F | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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