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参数资料
型号： IXFX62N25
厂商： IXYS
文件页数： 2/2页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 35 毫欧 @ 31A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 6600pF @ 25V
功率 - 最大： 390W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： PLUS247?-3
包装： 管件
IXFK 62N25
IXFX 62N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
PLUS 247 TM Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25
Note 1
35
50
S
C iss
6600
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
1125
270
30
25
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 1.5 ? (External),
115
15
ns
ns
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q g(on)
240
nC
Dim.
Millimeter
Inches
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
55
85
nC
nC
A
A 1
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
A 2
1.91 2.16
.075 .085
R thJC
R thCK
0.15
0.30
K/W
K/W
b
b 1
b 2
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
.045 .055
.075 .084
.115 .123
C
D
E
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
e
L
L1
Q
R
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
62
248
A
A
TO-264 AA Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 30A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.8
8
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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PDF描述
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参数描述
IXFX64N50P 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60P 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60P3 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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