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参数资料
| 型号： | IXFX64N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 96 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 64N60P
IXFX 64N60P
65
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
V GS = 10V
V GS = 10V
55
50
45
40
35
30
25
8V
7V
6V
140
120
100
80
60
8V
7V
20
15
40
6V
10
5
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
65
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.1
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 32A v s.
Junction Temperature
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 64A
I D = 32A
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 32A v s.
Drain Current
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
3
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
50
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
40
30
20
1.2
1
0.8
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFX74N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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