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参数资料
| 型号： | IXFX90N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 90N30
IXFX 90N30
200
160
T J = 25 O C
V GS = 9V
8V
7V
150
125
T J = 125 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
120
6V
100
80
75
5V
5V
50
40
0
4V
25
0
4V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
3.2
V DS - Volts
Fig.1 Output Characteristics @ T j = 25°C
V DS - Volts
Fig.2 Output Characteristics @ T j = 125°C
3.0
T J = 125 C
2.8
V GS = 10V
O
2.6
V GS = 10V
2.4
2.2
2.0
1.6
1.2
T J = 25 o C
1.8
1.4
I D = 90A
I D = 45A
0.8
0
40
80
120
160
200
1.0
25
50
75
100
125
150
100
I D - Amperes
Fig.3 R DS(on) vs. Drain Current
160
T J - Degrees C
Fig.4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
140
80
T J = 150 o C
120
60
40
20
100
80
60
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
T C - Degrees C
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
? 2001 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Fig.6 Drain Current vs Gate Source Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 |
| IXFX180N10 | MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 |
| XREWHT-L1-0000-00AE6 | LED WARM WHITE 7X9MM SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D00T630F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D00T527F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX94N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX98N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFY4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFY5N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFZ11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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