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参数资料
| 型号： | IXGB25N60R2 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | IXGB25N60R2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSM8WBT | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY-TACTILE, 0.05A, 12VDC, 2.06 N, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| L00832A0000 | INTERCONNECTION DEVICE |
| L00895C0014 | INTERCONNECTION DEVICE |
| L4A-PDMDR-USA | INTERCONNECTION DEVICE |
| LD1529F-A02 | 29 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SURFACE MOUNT, PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGB75N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 120 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGC12N60C | 功能描述:IGBT 晶体管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGC12N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGC16N60B2 | 功能描述:IGBT 晶体管 8 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGC16N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 8 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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