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参数资料
| 型号： | IXGN80N60A2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 160A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 25µA |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN 80N60A2D1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
SOT-227B miniBLOC
g fs
C ies
I C
= 60 A; V CE = 10 V, Note 1
TBD
TBD
S
pF
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
t d(on)
t ri
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = I C110 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
Inductive load, T J = 25 ° C
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
t d(off)
t fi
I C = I C110 , V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.0 ?
TBD
250
ns
ns
E off
t d(on)
TBD
4
mJ
ns
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
R thJC
R thCK
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C110 , V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.4 ?
TBD
TBD
TBD
TBD
10
0.05
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.2 K/W
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V F
I RM
I F = 60 A, Note 1
T J = 150 ° C
I F = I C90 , V GE = 0 V, -di F /dt = 100 A/ μ s
2.05
1.4
8.0
V
V
A
V R = 100 V, T J = 100 ° C
t rr
R thJC
I F = 1 A, -di/dt = 50 A/ μ s, V R = 30 V
35
ns
1.65 K/W
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2%
2. Remarks: Switching times may increase for
V CE (Clamp) > 0.8 V CES , higher T J or increased R G
3. Parts must be heatsunk for high temperature I CES measurements
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN80N60A2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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