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参数资料
| 型号： | IXI848S1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 描述： | IC CURRENT MONITOR 0.7% 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 电流监控器 |
| 检测方法： | 高端 |
| 精确度： | ±0.7% |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 40 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXYS
www.ixys.com
4
06/29/05
IXI848
Typical Performance Characteristics
.005
.025
.045
.065
.085
.105
.125
2.7 5 10 15 20 25 30 35 40
Supply Voltage (Vin)
.050
.055
.060
.065
.070
.075
.080
-40
-15
10
35
60
85
Ta (癈)
Vin=20V
Fig 3. Supply Current vs. Voltage
Fig 4. Supply Current vs. Temperature
5mV/Div
100mV
95mV
Vsense
20mV/Div
Vout
1V
0.95V
2uS/Div
C
L
=8pF
Vin=12V
Gain=10
500mV/Div
45mV/Div
Vsense
6mV
100mV
C
L
=8pF
Vout
1V
0.06V
Vin=12V
Gain=10
2uS/Div
Fig 5. Small Signal Transient Response 10X
Fig 6. Large Signal Transient Response 10X
Vsense
5mV/Div
Vout
100mV/Div
C
L
=8pF
100mV
95mV
5V
4.75V
Vin=12V
10uS/Div
Gain=50
Vsense
45mV/Div
Vout
2V/Div
10uS/Div
100mV
6mV
5v
0.3V
C
L
=8pF
Vin=12V
Gain=50
Fig 7. Small Signal Transient Response 50X
Fig 8. Large Signal Transient Response 50X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSM44DRKN-S13 | CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND |
| 6-1879064-3 | CAP TANT 4.7UF 35V 10% 2312 |
| 6-1879064-2 | CAP TANT 3.3UF 35V 20% 2312 |
| 6-1879064-1 | CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312 |
| A7PSB-0910M | CABLE D-SUB-AMM09B/AE09M/AFM09B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXI858S1 | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI858S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI859S1 | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI859S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXJ611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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